有关SIDAC的问与答
发布日期:2007-10-10 14:15:57   浏览次数:7191
1 SIDAC的工作原理是什么?
     SIDAC是一种二端半导体器件,其内部结构与双向晶闸管十分相似,但是没有触发门极,是电压自触发器件。SIDAC的工作状态如同一个开关。当电压低于断态峰值电压VDRM时,其漏电流IDRM极小(小于微安量级),为断开状态。当电压超过其击穿电压VBO时,产生瞬间雪崩效应。该雪崩电流一旦超过开关电流IS,即进入雪崩倍增,器件的阻抗骤然减小,电压降为导通电压    (V<1.5V)。此时,SIDAC进入导通状态,允许通过大的通态电流(0.7-2安培,RMS值)。当电流降到最小维持电流IH值之下时,SIDAC恢复到其断开状态。
2     SIDAC与半导体放电管有何区别?是否可以避雷防突波?     
       半导体放电管(亦称固态放电管)是从SIDAC派生出来的。其器件结构、原理和性能与SIDAC都一样,但在制作工艺参数调整上略有不同。从器件指标来说,有两点不同。一是维持电流IH要求比较高。SIDAC的IH通常在60mA之下,而放电管的IH则在100mA(Shindengen)或150mA以上(Teccor)。这是通讯设备的保护所提出的特殊的要求。第二个不同在于,半导体放电管有浪涌电流这一指标要求,能承受10/560微秒,峰值电流为50A的浪涌若干次或无上限,而SIDAC并没有这个要求。但这并不是说SIDAC不能承受如此浪涌。相反,在相似工艺条件下做出的SIDAC因为IH和IS较小,更易承受相同的浪涌。天维SIDAC已将雷击浪涌试验作为对其器件考核的例行试验。
3    既然DIAC能用于节能灯的触发,为什么高压灯触发不能用DIAC,而要用SIDAC?
      DIAC可以等效于两个背靠背的二极管, 其有雪崩的过程,显示出有双向负阻特性。但因其制作简单,无可控硅或晶闸管器件结构,不会造成雪崩倍增的过程,就不可能进入导通状态,压降就很大。所以DIAC只能用于低电压小电流的触发电路。 
4     SIDAC是否能用单向可控硅替代?
      其实不用SIDAC也可以用单向可控硅加之二极管、电容和电阻分压,作为触发电路。当SIDAC的货源不足或价格太高时,大部分的燃具触发电路都还是采用单向可控硅的方案。
      当然能用SIDAC一个器件取代若干个零件,对于线路的可靠性提高和线路板空间的节省,有时很重要。更有价值的是,免去了逐块线路板调试的麻烦。
5    对于SIDAC,维持电流IH重要吗?应该如何选用?
      
维持电流IH的选择要考虑到两个方面。
       (1). I
H较高时,在浪涌过后或在触发结束后,SIDAC较快地安全恢复到正常的阻断状态。但是这种情况所对应的开关电流IS也会高,在I-V曲线下的功率面积就会大,发热也会多。但是当电路对触发脉冲间隔有要求时,IH就不能太小。
       (2).I
H较低时,在浪涌过后或在触发结束后,SIDAC不太安全可靠地恢复到阻断状态。这种情况所对应的开关电流IS也小,在I-V曲线下的功率面积就会小,发热也少。
   
   我们注意到,在Teccor的产品参数中,规定的IH的典型值为60mA,最大值为150mA。但是实际测量TeccorIH值离散较大,从20mA60mA以上都有。而Shindengen的参数中,大芯片的各种电压型号的I
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